Kompaktní PA s Hex-Fety
Tech.data:		Výstup	cca 750 W
		Kmitočet	1,8 - 30 MHz
		IM-D3	lepší 35 dB - jednotónově
		IM-D3	lepší 41 dB - dvoutónově
		Buzení	60 - 120 W
		Prov.napětí	230 V střídavých
		Pracovní napětí	100 V stejnosměrných
		Proudový odběr	cca 15 A
		Klidový proud	cca 1 - 1,5 A
		Příkon	cca 1300 - 1400 W
		Účinnost	cca 60 %
	Po třicetiletém budování PA zesilovačů podle DL9AH s elektronkami se autor rozhodl
postavit tranzistorovou verzi, která by nahradila těžké konstrukce s elektronkami a ještě těžší na-
pájecí zdroje. Nebylo to však jednoduché. Řada pokusů s bipolárními tranzistory byla zavžena díky
nízké napěťové pevnosti, potřebě špičkových proudů až 200 A a tím i nevýhodnému pracovnímu od-
poru řádu 0,1 ohmu atd. Profesionálně se tyto nedostatky řeší paralelním spojováním více modulů
s výkonem kolem 200 W pomocí sčítáním výkonů pomocí COMBINER. Je to složitá a drahá meto-
da. Předpoklad pro úspěch je výběr velkého množství stejných tranzistorů a stejně se nedosahuje
lepších parametrů při dvoutónové zkoušce jak 20 dB, což je nevyhovující.
	Rozumným řešením jsou samouzávěrné a samozhášecí Mos-Fety splňující potřebné pa-
rametry.
	1. Jsou dostatečně napěťově odolné, aby mohly v PUSHPULLU bezpečně pracovat s na-
	pětím 160 V.
	2. Dávají potřebné špičkové proudy
	3. Mají dostatečný ztrátový výkon
	4. Jsou to prvky s majoritními nosiči proudu, takže se v podstatě chovají jako elektronky
	5. Mají dostatečně kvadratickou charakteristiku
Tato kvadratická charakteristika , kterou můžeme také označit za dvojnásobně výkonově lineární,
dáva předem předpoklad čistého zesilování.
	Po řadě předběžných pokusech vznikl první tranzistorový lineární PA dle DL9AH, popsa-
ný v sešitech 8,9 a 10/94 časopisu Beam. Pracoval s napětím 160V při 9A a dodával při dobrém
intermodulačním odstupu, větším než 35 dB při dvoutónové zkoušce, bez problémů výstupní výkon
750 W, nicméně jen od 1,8 do 15 MHz.
Zde popisovaný kompaktní PA je nejen menší, ale dává navíc průběžně až do 30 MHz požadovaný
výstupní výkon cca 750W.
Obraťme se nejdříve k základnímu zapojení. Po studiu a výpočtech různých koncepcí zapojení se
autor rozhodl pro klasický protitaktní princip. Splňoval všechny zadané požadavky a bylo možno jej
jednoduše realizovat. Při protitaktním principu zesiluje jeden tranzistor po druhém jen kladnou půl-
vlnu. To znamená, že jestliže např. T5 je buzen kladnou půlvlnou musí být T36 uzavřen zápornou
půlvlnou. Kladná půlvlna na Gate T5, že vnitřní odpor mezi Source a Drain je tak nízký, že z konden-
zátoru C16 nabitého na cca 100V teče silný proud elektronů přes R17 kanálem S-D tranzistoru T5
a horní polovinou L4, tedy z A1 do středu Mp. Jestliže odhadneme součet všech napěťových ztrát
( pokles napájecího napětí,ztráty na R17,napětí kolena-ohybu charakteristiky T5) na 30V, objeví se
tedy na výstupu záporné špičkové napětí 100-30=70V mezi A1 a Mp. Protože spodní polovina vinutí
L4 ( Mp-E2) je v důsledku uzavření T36 stále ještě bez proudu, stává se součástí transformace.
Tak na tomto vinutí s početnými závity vznikne také napětí 70V, které které je s napětím uvedeným
výše ( mezi A1 a Mp ) ve fázi a tedy se s ním sečte na 140V ( mezi A1 a E2). Mezi těmito body je
připojen Guanellův transformátor a ten vynásobí toto napětí dvakrát , tedy na 280V špičkových.
Přepočte-li se toto napětí zpět na efektivní, je to cca 200Veff. Připne-li se nyní zatěžovací odpor